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热壁外延生长GaAs薄膜的结构特征

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涂洁磊[1] 林理彬[1] 陈庭金[2] 章晨静[2] 吴长树[2] 施光顺[2]

[1]四川大学物理系,国家教育部“辐射物理及技术”重点实验室,成都610064 [2]云南师范大学太阳能研究所,昆明650092

《太阳能学报》

2003年第24卷第1期

摘　　要:

该文介绍以Si和SnO2／glass两种材料为衬底，采用热壁外延方法，制得GaAs多晶薄膜。采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌，x射线衍射(xRD)分析薄膜的结构情况。结果表明该薄膜表面呈绒面结构、其晶粒为柱状结构，初步证明这种GaAs多晶薄膜有希望成为新一代廉价、高效太阳电池的候选材料。 (共4页)