掺镧钛酸铅铁电薄膜的电畴与热释电性能研究

• 注册维普会员须知
• PDF提取文图方法
• 几种不同的服务模式
• 免费下载PDF阅读器

摘　　要:

采用射频磁控溅射技术在Pt／Ti／SiO2／Si（100）基底上生长了掺镧钛酸铅[（Pb0.9Ld0.1）TiO3，PLT10]铁电薄膜。用X射线衍射研究了PLT10薄膜的结晶相结构。分别使用原子力显微镜和压电响应力显微镜观察了PLT10铁电薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构。测试了PLT10铁电薄膜的电学参数，研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与其性能之间的关系。发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365，介电损耗tgδ为0．02，热释电系数γ为2．20×10^-8C·（cm2·K）^-1，可以满足制备非制冷红外探测器的需要。