在Hg1—xCdxTe上生长的阳极化碲化物薄膜及其XPS特性

刘水斤

摘  要:

描述了用阳极碲化过程在Hg1-xCdxTe上生长纯Te膜,此过程要求2个阶段,首先生长阳极化硫化物/氧化物膜,第二步将此膜转化为阳极化碲化物膜,XPS研究认为阳极化硫化物/氧化物膜完全转化为阳极化碲化物膜是可能的,控制初始膜中硫和氧的浓度,即发控制阳极化生长碲化物薄膜中的碲浓度。 (共5页)

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