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相变存储器测试系统中的脉冲信号的改善

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梁爽[1,2] 宋志棠[1] 刘波[1] 陈小刚[1] 封松林[1]

[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,纳米技术研究室,上海200050 [2]中国科学院研究生院,北京100039

《计算机测量与控制》

2007年第15卷第10期

摘　　要:

相变存储器测试系统由于PCI控制卡中的总线信号之间的串扰，严重影响了施加在器件单元上的波形；以保证对C-RAM（Chalcogenide-Random Access Memory）进行非晶化操作时脉冲信号下降沿的速度和整个信号的完整性，针对以上问题分别从串口与单片机通信控制继电器和利用PCI控制卡控制继电器两个方面提出了解决方案，并进行了相应的硬件电路和软件设计；结果发现非晶化操作时脉冲信号下降速度加快，并且消除了信号的失真；改善后的测试系统对器件一致性的参数的提取发挥了重要作用，为芯片的电路设计奠定了基础。 (共3页)