• 充值
  • 会员
  • 职称材料
搜期刊
刊名

文献信息

  • 任意字段
  • 主题词
  • 篇关摘
  • 篇名
  • 关键词
  • 摘要
  • 作者
  • 第一作者
  • 作者单位
  • 刊名
  • 中图分类号
  • 学科分类号
  • DOI
  • 基金
文献检索

美国
投稿预审
IEEE Transactions on Materials for Electron Devices EI
发文量 34
被引量 18

The IEEE Transactions on Materials for Electron Devices (T-MAT) publishes contributed and invited articles of different formats in the broad field of materials for electron devices and their interconnects. The focus of T-MAT is on the applied aspects of electronic materials, as well as fundamentals directly relevant to individual and integrated device engineering and fabrication

  • 主办单位： IEEE
  • 出版周期： 年刊
  • 别名： T-MAT
热门主题：

硼硅酸盐玻璃剩余极化强度碳纳米管薄膜微电子学原子层沉积柔性超级电容器氧缺位金属氧化物半导体晶体管阈值电压模型氮化钼电极运营稳定性光聚合固化AlN衬底H等离子体负微分电阻效应电阻开关陶瓷封装外壳光辐射吸收机械粘合力耦合忆阻器

收录汇总 栏目浏览 期刊详情
收录汇总
出版文献
期刊详情
新发布(2025版)
分析评价
目录
封面
2026年--期
共：4篇

    • Kim, Dong JunLee, Sun WooLee, HojinKim, Taek-Soo

      1-7

    • Tang, ZhuohuaSong, XujinYang, WanwangLi, ShangzeSun, DijiangChen, RuiqiFeng, YulinKang, JinfengHuang, Peng

      8-14

    • Nitharwal, Ravindra KumarKumar, RavindraChatterjee, SubhajitSumanth, ArigeYadav, RenuMisra, AbhishekRao, M. S. RamachandraDixit, TejendraKrishnan, Sivarama

      15-22

    • Ghivela, Girish ChandraTadas, ShreevedRanjan, ShatakshiChaure, Pranav

      23-38
2026年--期

2026年--期

客服咨询
投稿相关：023-63416211
撤稿相关：023-63012682
查重相关：023-63506028
重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-1 渝公网备 50019002500403
违法和不良信息举报中心   举报邮箱：jubao@cqvip.com   互联网算法推荐专项举报：sfjubao@cqvip.com    网络暴力专项举报: bljubao@cqvip.com
网络出版：（署）网出证（渝）字第014号    出版物经营许可证：新出发2018批字第006号