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美国
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IEEE Transactions on Electron Devices 中科院3区 JCR:Q2 SCIE EI IEEE PubMed JST
发文量 30,748
被引量 818,872
影响因子(2025版) 2.904

The IEEE Transactions on Electron Devices publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are also published and occasional special issues appear to present a collection of papers which treat particular areas in more depth and breadth.

  • 主办单位： IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
  • 出版地区： PISCATAWAY
  • 出版周期： 年12期
  • 别名： IEEE T ELECTRON DEV;IEEE Trans. Electron Devices;IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES;IEEE电子器件汇刊
  • 国际标准连续出版物号/电子版： ISSN 0018-9383 / EISSN 1557-9646
  • 创刊时间： 1954年
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