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反应离子刻蚀功率MOSFETCMOS电路CCD技术电学性能参数显微切削多端口存储器电容-电压曲线SRAM设计Schottky势垒高度多型号并举CMOS比较器多项目晶圆嵌入式存储器有效沟道长度沟槽型MOSFET永久性改变顺序电路器件CCD界面错配位错
无数据
vol.6 (1998)
vol.5 (1997)
vol.4 (1996)
Verdonck, PatrickMansano, Ronaldo D.Maciel, Homero S.Salvadori, Maria Cecilia B.S.
Torres, Luiz C.MolinaBraga, Nelson
Ribas, R.P.Bennouri, N.Karam, J.M.Courtois, B.
Silva, Gabriel P.Filho, Eliseu M.C.Alves, Vladimir C.Ferreira, Victor M.Goulart
1998年1期
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