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荷兰
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Silicon 中科院3区 JCR:Q2 SCIE EI CA JST
发文量 5,305
被引量 67,312
影响因子(2025版) 2.986

The journal Silicon is intended to serve all those involved in studying the role of silicon as an enabling element in materials science. There are no restrictions on disciplinary boundaries provided the focus is on silicon-based materials or adds significantly to the understanding of such materials. Accordingly, such contributions are welcome in the areas of inorganic and organic chemistry, physics, biology, engineering, nanoscience, environmental science, electronics and optoelectronics, and modeling and theory. Relevant silicon-based materials include, but are not limited to, semiconductors, polymers, composites, ceramics, glasses, coatings, resins, composites, small molecules, and thin films.

  • 主办单位： SPRINGER
  • 出版地区： DORDRECHT
  • 出版周期： 半月刊
  • 别名： SILICON-NETH;硅;SILICON
  • 国际标准连续出版物号/电子版： ISSN 1876-990X / EISSN 1876-9918
  • 创刊时间： 2009年
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Field Effect TransistorSilicon CarbideSiliconDrain CurrentThreshold VoltagePorous SiliconMechanical PropertiesDrain Induced Barrier LoweringRF PerformanceFourier Transform Infrared SpectroscopyOptical PropertiesDirectional SolidificationCharge PlasmaSubthreshold SlopeLow Power ApplicationsGateCompressive StrengthMaterial Removal RatePerformance AnalysisMulticrystalline Silicon

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