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美国
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IEEE Electron Device Letters 中科院2区 JCR:Q2 SCIE EI IEEE PubMed JST
发文量 14,400
被引量 460,504
影响因子(2025版) 3.895

IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors.

  • 主办单位： IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
  • 出版地区： PISCATAWAY
  • 出版周期： 年12期
  • 别名： IEEE ELECTR DEVICE L;IEEE Electron Device Lett.;IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS;IEEE电子设备快报;I.E.E.E. electron device letters
  • 国际标准连续出版物号/电子版： ISSN 0741-3106 / EISSN 1558-0563
  • 创刊时间： 1980年
  • 曾用名： Electron device letters
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